Сегодня синтетический алмаз занимает устойчивые позиции на рынке алмазной ювелирной и технической продукции. Он обладает рядом параметров, необходимых для экстремальной электроники и фотоники: механическая прочность, теплопроводность, устойчивость в сильных энергетических полях, высокая скорость распространения звука, прозрачность для электромагнитных волн в очень широком спектральном диапазоне.
Учёные кафедры микро- и наноэлектроники (МНЭ) Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» издали монографию «Электроника алмаза».
Во всём мире «Метод “ЛЭТИ”» признан научно технологическим прорывом, определившим переход к промышленной технологии изготовления электронной компонентной базы на карбиде кремния и мощной силовой и импульсной электроники, высокоэнергетической светотехники, сенсорики высоких температур и уровней радиации.
